BCW68GVL دیتاشیت

BCW68H

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BCW68H
حجم فایل 50.522 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت BCW68H

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BCW68GVL
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 800mA
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Transition Frequency (fT): 80MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 160@100mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 5uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 450mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Nexperia